[업다운뉴스 이세영 기자] 삼성전자가 올해 1분기 미국 폭설 여파로 오스틴 파운드리 공장 가동이 중단되는 등 돌발 변수로 반도체 부문에서 당초 기대를 밑도는 실적을 냈다. 하지만 오스틴 공장 가동이 정상화되고 있는 상황에서 D램 가격이 오르고 낸드플래시 수요도 증가할 것으로 예상돼 반도체 사업이 반등할 것으로 회사 내부에서는 보고 있다. 파운드리 부문에서는 기술 리더십을 강화하기 위한 노력을 지속할 방침이다.
삼성전자는 올해 1분기 삼성전자 반도체 부문 영업이익이 3조3700억원을 기록, 전년 동기 대비 15.8% 줄었다고 29일 밝혔다. 이는 2019년 3분기 3조500억원을 기록한 이후 6분기 만의 최저치에 해당한다. 매출은 19조100억원을 올리며 전년 동기 대비 7.8% 늘었다.
당초 올해 반도체 업황이 ‘슈퍼사이클’(장기호황)을 맞을 것으로 전망되면서 삼성전자도 반사이익을 누릴 것으로 보였지만, 자연재해 등 예상치 못한 악재가 겹침에 따라 분기 내내 고전을 면치 못했다.
1분기 삼성전자의 반도체 사업 수익성이 떨어진 원인 중 하나는 오스틴 공장 가동 중단 사태다. 지난 2월 미국 텍사스 지역을 강타한 한파로 오스틴 공장의 전력이 끊겨 생산라인을 멈출 수밖에 없었다.
다만 삼성전자는 2분기부터 오스틴 공장이 완전 정상화로 돌아설 것이라고 밝혔다. 한승훈 삼성전자 파운드리사업부 전무는 실적 발표 후 열린 컨퍼런스콜에서 “오스틴 지역의 정전으로 반도체 웨이퍼 생산 차질이 발생했다. 피해 규모는 웨이퍼 총 7만1000장 정도”라며 “이는 3000억~4000억원에 해당하는 규모”라고 설명했다. 그러면서 “중단 이후 단계적으로 복구에 주력해 지난달 31일을 시점으로 생산 가동률이 90%에 도달했고, 현재 완전히 정상화됐다”고 밝혔다.
오스틴 공장이 완전 정상화되면서 한숨을 돌린 삼성전자는 2분기 파운드리 평택 2라인 양산을 시작으로 하반기 공급 확대를 꾀할 방침이다. 또한 차별화된 패키지 솔루션을 마련해 기술 리더십 강화에도 나설 예정이다.
고객사 수요에 대응하기 위해 신기술 확보에 속도를 내고 있다. 3나노미터(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 2세대 공정 개발에 들어갔다. 또한 시장 확대를 위해 14나노·8나노 RF(무선통신) 공정 개발을 완료하는 등 기술 리더십을 강화하기 위한 노력을 기울이고 있다.
파운드리 생산 차질 영향으로 DDI(디스플레이 구동칩) 분야가 발목을 잡혀 부진했던 시스템LSI에서도 파운드리사업부와 협력을 키울 방침이다. 또 외주 파운드리를 활용해 칩 공급 능력을 극대화하는 동시에 탄력적인 가격 정책을 통해 성장세를 유지할 것이라는 계획을 밝혔다.
메모리 반도체 실적도 소폭 줄었다. D램은 올해 1분기 주요 고객사의 스마트폰 신제품 출시와 코로나19 확산에 따른 PC용·서버용 D램 수요 증가로 비교적 양호한 실적을 냈다. 하지만 낸드플래시는 공급과 수요가 균형을 이루지 못한 상황에서 가격이 내려가면서 메모리 제품군의 실적 하락을 야기했다.
삼성전자는 2분기 들어 본격적인 메모리 반도체 슈퍼사이클 영향을 받으면서 실적 개선을 일굴 것으로 보고 있다. 메모리 반도체 가격은 슈퍼사이클이 있었던 2017년 1월 이후 가장 높은 상승폭을 기록했다. 30일 대만 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 이달 PC용 D램(DDR4 8Gb) 고정거래가격은 지난달보다 26.67％ 오른 3.8달러로 집계됐다.
한진만 삼성전자 메모리 전략마케팅실 부사장은 “D램을 중심으로 응용처 전반의 수요 강세 예상되기 때문에 2분기엔 영업이익 상당 부분이 개선될 것”이라며 “낸드플래시 역시 주요 고객사의 5G 확대와 모바일 고용량화로 수요가 증가할 것”이라고 밝혔다.
업계에서는 올해부터 반도체 슈퍼사이클이 시작할 것이라는 전망을 내놓는다. 트렌드포스는 올해 2분기 D램 전체 평균가격이 전 분기 대비 18~23% 오를 것으로 전망했다. 당초 하반기부터 가격 상승이 시작될 것으로 예상됐던 낸드플래시 역시 높은 수요 덕에 2분기부터 가격이 오를 것이라고 내다봤다.
삼성전자는 메모리 1위 기업다운 초격차 기술 개발 현황을 공개했다. 실적 회복에 대한 확신이 엿보이는 대목으로, 삼성전자가 공식 석상에서 이 같은 정보를 공개한 건 이례적이라는 평가다.
삼성전자는 하반기에 15나노 D램과 128단 6세대 V낸드를 주력공정으로 판매하는 한편, 다수의 레이어(층)에 극자외선(EUV)를 적용한 14나노 D램, 176단 7세대 V낸드를 본격적으로 양산해 기술 경쟁력 강화도 지속할 것이라는 계획을 내놓았다.
한진만 부사장은 “D램의 경우 선도적인 EUV 장비 도입은 원가 경쟁력 확보의 밑거름이 될 것”이라며 “올해 하반기부터 7세대 V낸드를 선보일 계획이다. 그 다음 세대인 8세대는 현재 개발 중이며 내년 하반기 양산을 목표로 잡았다. 더블스텍 기술을 적용한 200단 낸드는 내년 하반기까지 양산을 차질 없이 진행할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 이를 위해 올해 1분기 반도체 부문에만 시설투자 8조5000억원을 투입했다. 지난해 1분기(6조원) 대비 40% 이상 확대된 규모다. 초고가인 EUV 장비를 도입하는 것이 투자 확대로 이어졌다는 분석이다.
증권가에서는 올 2분기 삼성전자 반도체 부문의 영업이익이 큰 폭으로 뛸 것으로 예측하면서도, 14나노 D램의 빠른 양산이 동반돼야 한다는 점을 강조했다.
송명섭 하이투자증권 연구원은 “2분기 메모리 판매 가격이 경쟁사 수준으로 회복될 것으로 보이며 D램, 낸드 평균판매가격(ASP) 상승률이 각각 15%, 10%에 달할 것으로 보인다”며 “이에 따라 삼성전자 반도체 부문의 2분기 영업이익은 1분기 대비 78% 증가한 6조원에 이를 것으로 전망된다”고 밝혔다.
그러면서도 “삼성전자가 메모리 시장점유율을 회복하고 기술 경쟁력 격차를 확대하기 위해서는 7세대 더블스택 V낸드와 함께 14나노 D램의 빠른 양산이 따라줘야 할 것으로 보인다. 만약 14나노 D램의 빠른 양산에 성공한다면, 내년부터 생산 증가율과 경쟁력 측면에서 경쟁사 대비 확실한 우위를 점할 것으로 보인다”고 분석했다.