[업다운뉴스 장용준 기자] SK하이닉스가 극자외선을 활용한 기술을 통해 10나노급 4세대 D램을 본격 양산한다. 이를 통해 기술적 우위를 확보하고 탄소 감축 효과를 기대하고 있다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달초에 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

반도체 업계에서는 10나노대 D램부터 명칭에 세대별로 알파벳 기호를 붙여 부르고 있다. 이 가운데 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술을 뜻한다. SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급할 예정이다.

SK하이닉스에 따르면, 양산에 들어가는 제품은 자사 D램 중 처음으로 EUV(Extreme Ultraviolet) 공정기술을 통해 양산된다는 데 의미가 있다. 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것이라는 게 업계의 중론이다.

EUV는 극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 노광(露光) 장비다. 공정이 극도로 미세화 되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술이 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품의 생산에 EUV를 활용하겠다는 방침이다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 강조했다.