[업다운뉴스 김경한 기자] SK하이닉스가 대표적 AI(인공지능)용 메모리인 HBM(고대역폭메모리)3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램(휘발성 메모리 반도체) 등 주력 제품의 판매 호조로 전 분기 대비 3분기 매출이 24% 증가하고 영업손실이 38% 감소했다. 여기에 더해 내년까지 HBM3뿐만 아니라 HBM3E까지 모두 솔드아웃(매진)되면서 내년 전망에서도 긍정적인 신호가 포착됐다. 하지만 낸드플래시 실적 개선이 더뎌지며 풀어야 할 숙제로 남게 됐다.

SK하이닉스은 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원(손실률 20%), 순손실 2조 1847억원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 26일 공시를 통해 밝혔다.

SK하이닉스는 고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영실적이 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다. SK하이닉스는 무엇보다 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다. D램 평균판매가격(ASP) 상승도 큰 영향을 미쳤다.

제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다.

이날 콘퍼런스콜에서 SK하이닉스는 AI용 고성능 D램인 HBM3와 HBM3E 모두 내년까지 판매 완료됐으며 고개들의 추가 수요 논의가 들어오고 있다고 밝혔다. 특히 고객이나 시장 관계자들은 SK하이닉스의 HBM3E의 캐파(생산능력) 점유율이 압도적으로 높은 것으로 이해한다고 강조했다. HBM3는 처리속도가 5.6~6.4Gbps(초당 기가비트), HBM3E는 8~9.2Gbps에 이른다. HMB3E는 풀 HD 영화(5GB) 230편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도를 자랑한다.

SK하이닉스 관계자는 콘퍼런스콜에서 “지금 HBM 수요를 살펴보면 HBM2에서 HBM3로, HBM3에서 HBM3E로, HBM3E에서 HBM4(2026년 공개 예정)로 전환 속도가 매우 빠르다”며 “기존에 갖고 있는 양산, 품질, 성능뿐만 아니라 경험치 관점에서 SK하이닉스가 유리한 위치에 서있다”고 자신감을 드러냈다. 이와 관련해 SK하이닉스는 2025년까지 확대해서 대부분의 고객사와 파트너사들과 기술 협업 및 캐파를 논의하고 있다고 설명했다.

이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV(D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 패키지 기술) 에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

낸드플래시(비휘발성 메모리)는 고용량 모바일 제품과 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 중심으로 출하량이 늘었다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.

SK 관계자는 “낸드는 D램 대비 재고 수준이 높고 AI용 수요 영향도 제한적인 만큼 D램 대비 업황 회복에 시간이 더 소요될 것으로 예상된다”며 “SK하이닉스는 내년에도 보수적으로 낸드 생산 기조를 유지하고 제품 라인업 최적화를 통해 수익성 개선에 주력할 것”이라고 강조했다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해 낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.