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SK하이닉스, '세계 최초' HBM3E 대규모 양산·공급

  • Editor. 김경한 기자
  • 입력 2024.03.19 16:42
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[업다운뉴스 김경한 기자] HBM 시장에서 50%로 시장 점유율 1위를 차지하고 있는 SK하이닉스가 최상위 버전의 인공지능(AI)용 메모리 반도체인 HBM3E에서도 기술 리더십을 공고히 하고 있다.

SK하이닉스는 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 일각에선 이 제품을 AI 학습용 반도체 최대 생산업체인 엔비디아의 신형 그래픽처리장치(GPU)에 탑재할 것으로 전망하고 있다.

SK하이닉스 HBM3E [사진=SK하이닉스 제공]
SK하이닉스 'HBM3E' [사진=SK하이닉스 제공]

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 반도체다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, 업계에선 HBM3E가 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 여겨지고 있다.

HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 SK하이닉스는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(풀HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. SK하이닉스는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정으로, 필름형 소재를 깔아주는 방식과 비교해 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.

류성수 SK하이닉스 부사장(HBM 비즈니스 담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객 관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 공급자’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

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