[업다운뉴스 김경한 기자]  삼성전자가 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱욱 높였다. 기존 모델보다 소비 전력을 10% 줄이고 용량은 2배 늘린 역대 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 연내 양산에 들어간다.

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 1983년 64Kb(킬로비트) D램을 개발한 삼성전자는 32Gb D램 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.

삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 지배력을 더욱 공고히 했다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘 관통 전극) 공정 없이 제작 가능하게 됐다. TSV는 칩을 얇게 간 다음 수백 개 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 패키징 기술이다.

또 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 소비 전력 10%를 개선할 수 있어 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적 솔루션이 될 것으로 기대를 모은다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 이를 통해 AI(인공지능) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나간다는 방침이다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.